TP65H300G4LSGB-TR
零件编号：
TP65H300G4LSGB-TR
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Transphorm
描述：
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
- 最大栅源电压 ±12V
- 漏极至源极电压 (Vdss) 650 V
- 封装 / 外壳 8-VDFN Exposed Pad
- 最大功耗 21W (Tc)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 8.8 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 730 pF @ 400 V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.8V @ 500µA
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 6V
- 供应商器件封装 8-PQFN (8x8)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 312mOhm @ 6.5A, 6V