NC1M120C40GTNG
零件编号：
NC1M120C40GTNG
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NovuSem
描述：
SiC MOSFET N 1200V 40mohm 76A 3
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 封装 / 外壳 TO-247-3
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 76A (Tc)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 1200 V
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 20V
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.8V @ 10mA
- 最大栅源电压 +20V, -5V
- 供应商器件封装 TO-247-3L
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 40mOhm @ 35A, 20V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2534 pF @ 1000 V
- 最大功耗 375W (Ta)