English
Russian
Spanish
联系我们
Shenzhen:
0755-8332 9413
Hong Kong:
+852 6207 1134
Email:
sales@smartechip.com
隐私策略
条款和条件
单页面
Cookies条款
集群科技
SMARTECHIP.COM
登录
订单
RFQ
收藏
登录
注册
×
所有产品
制造商
新闻
询价
关于我们
联系我们
技术支持
账户中心
购物车
询价列表
English
Russian
Spanish
所有产品
制造商
新闻
询价
关于我们
联系我们
技术支持
登录
订单
收藏
询价清单
比较
购物车
0755-83329413
sales@smartechip.com
https://www.facebook.com/
https://x.com/
https://www.instagram.com/
https://www.linkedin.com/
首页
/
存储器
收藏
比较
MSQ230AGE-2512
零件编号:
MSQ230AGE-2512
产品分类:
存储器
制造商:
MoSys, Inc.
描述:
IC SRAM 1GBIT PAR 2512FCBGA
包装:
Tray
ROHS状态:
Yes
货币:
-
PDF:
资料
数量
RFQ
规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
工作温度
-
电压 - 供电
-
可编程
Not Verified
内存类型
Volatile
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字,页
-
内存格式
SRAM
内存容量
1Gbit
访问时间
2.7 ns
技术
SRAM, RLDRAM
存储器结构
144M x 8
封装 / 外壳
2512-BGA, FCBGA
供应商器件封装
2512-FCBGA (27x27)