IGN1011L1200
零件编号：
IGN1011L1200
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Integra Technologies Inc.
描述：
RF MOSFET HEMT 50V PL84A1
包装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 额定电流（安培） -
- 噪声系数 -
- 电压 - 测试 50 V
- 频率 1.03GHz ~ 1.09GHz
- 电流 - 测试 160 mA
- 额定电压 180 V
- 技术 HEMT
- 增益 16.8dB
- 功率 - 输出 1250W
- 封装 / 外壳 PL84A1
- 供应商器件封装 PL84A1