GE12050EEA3
零件编号：
GE12050EEA3
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
GE Aerospace
描述：
MOSFET 6N-CH 1200V 475A MODULE
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Chassis Mount
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 认证 AEC-Q101
- 封装 / 外壳 Module
- 供应商器件封装 Module
- 配置 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- 最大功率 1250W
- 技术 Silicon Carbide (SiC)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 475A
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 4.4mOhm @ 475A, 20V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.5V @ 160mA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 1248nC @ 18V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 29300pF @ 600V