S2M0080120N
零件编号：
S2M0080120N
产品分类：
制造商：
描述：
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
库存
1633
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零件状态Active
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等级-
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认证-
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安装类型Chassis Mount
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工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
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封装 / 外壳SOT-227-4, miniBLOC
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供应商器件封装SOT-227
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场效应晶体管类型N-Channel
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技术SiCFET (Silicon Carbide)
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漏极至源极电压 (Vdss)1200 V
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连续漏极电流 (Id) @ 25°C36A (Tc)
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驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）20V
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导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压100mOhm @ 20A, 20V
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Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流4V @ 10mA
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栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs54 nC @ 20 V
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最大栅源电压+20V, -5V
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输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds1324 pF @ 1000 V
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最大功耗176W (Tc)
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场效应晶体管特性-
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