HTNFET-T
零件编号：
HTNFET-T
产品分类：
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
库存
1600
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零件状态Active
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等级-
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认证-
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安装类型Through Hole
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工作温度-55°C ~ 225°C (TJ)
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封装 / 外壳4-SIP
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供应商器件封装4-Power Tab
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场效应晶体管类型N-Channel
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技术MOSFET (Metal Oxide)
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漏极至源极电压 (Vdss)55 V
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连续漏极电流 (Id) @ 25°C-
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驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）5V
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导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压400mOhm @ 100mA, 5V
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Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流2.4V @ 100µA
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栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs4.3 nC @ 5 V
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最大栅源电压10V
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输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds290 pF @ 28 V
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最大功耗50W (Tj)
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场效应晶体管特性-
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